SJ 50033.98-1995 半导体分立器件2CJ4211、2CJ4212型阶跃恢复二极管详细规范
|
ID： |
6DE4D73CD5794FAAA9D78D884E4389C2 |
|
文件大小(MB)： |
0.52 |
|
页数： |
7 |
|
文件格式： |
|
|
日期： |
2024-7-28 |
|
购买： |
文本摘录（文本识别可能有误，但文件阅览显示及打印正常，pdf文件可进行文字搜索定位）：
中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/98-95,半导体分立器件,2CJ4211ヽ2CJ4212型阶跃恢复,二极管详细规范,Semicondutor discrete devices,Detail specification for types 2CJ4211,and 2CJ4212 step recovery diodes,1996丒06丒14发布1996-10-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,下载,范,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,2CJ4211.2CJ4212型阶跃恢复二极管,详细规范,Semicondutor discrete devices,Detail specification for types 2CJ4211,and 2CJ4212 step recovery diodes,SJ 50033/98-95,1.I 主题内容,本规范规定了 2CJ4211.2CJ4212型阶跃恢复二极管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和,超特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 6570—86 微波二极管测试方法,GJB 33—85 半导体分立器件总规范,GJB 128—86,GJB 1557—92,半导体分立器件试验方法,半导体分立器件微波二极管外形尺寸,3要求,3.1 详细要求,各项要求应符合GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为铜,表面涂层应为金,中华人民共和电子工业部1996-06-14发布1996-10-01 实施,1,SJ 5003シ98-95,3.2.2 器件结构,N型硅外延材料,台式PIN结构,金属陶瓷管壳封装,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸按GJB 1557的W7—01型,如图1〇,mm,符号,尺 寸,min max,￠0 2,54 2.66,6E 0.94 1.00,H 2.8 3.6,Hi 1.50 2.10,C 0.60 0.80,图1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,型 号,Vrm,(V) (mA),丁叩,（匕） （匕）,2CJ42U,15 20,一 55.,+ 125,I 65 ”,+ 175,2CJ4212,注:1）Ta〉25む时按0.20mA/匕线性降额0,3.3.2 主要电特性=25C）,2,SJ 50033/98-95,Vf G,ZF = 10mA,(V),最大值,1,Vr = 6V,f=lMHz,(pF),最小值最大值,0.2 0.6,Ip— 10mA,Vr = 10V,(ps),最大值,60,50,If = 5mA,Ir = 40 mA,_(ns) _,最小值,脉宽:,10ms,/F- 500mA,(V/W),最大值,8 . 300,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 6570及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定;在包装袋（盒）上应有器件极性标志,4质量保证规定,4.! 抽样和检脸,抽样和检验应按GJB 33的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予以剔除,筛 选 试验方法,测 试 和 试 验,见GJB 33表2 GJB 12,高温寿命,热冲击,中间测试,电老化,最后测试,1032,1051,1038,200匕 72h,除循环20次外,其余同试验条件Fo,KbrJ、Vf、A匕br）、A，f失效判据同本表最后测试,见 4.3.1,AV（BR）K2V;,AVf<0.05V；,其他参数:按本规范表1的A2和A4分组,2,3,7,9,4.3.1 电老化,Ta = 100V ;/=50Hz; ZFM = 10mA; VRM = 12V, 72ho,4.4 质量一致性检验,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,3,SJ 50033/98-95,4.5 检验和试验方法,检验和试验方法应按本规范相应表的规定,表1 A组检验,检验或试验,GB 6570,LTPD 符号,极限值,单位,方法条 件最小值最大值.,A1分组,外观及机械检验GJB 128,2071,5,A2分组,反向击穿电压,正向电压,结电容,3.1,3.3,3.5,Jr = lOpiA,IF= 10mA,VR = 6V,/= 1MHz,5,匕BR),Cj,15,0.2,1.0,0.6,V,V,pF,A3分组,高温工作,反向击穿电压,低温工作,反向击穿电压,3.1,3.1,I.. ..,Ta =125 匕,IR = 10?A,Ta= - 55匕,Ir ~ IOrA,5,匕BR),匕BR),12,12,V,V,A4分组,阶跃时间,2CJ4211,2CJ4212,少子寿命,3.9 ￡f= 10mA,Vr= 10 V,Ip = 5 mA,厶二40mA,5,'st,T,60,50,PS,ps,3.8 ns,表2 B组检验,……
……